領先的尖端薄膜材料，ULVAC的半導體用靶材，以
?低particle
?均勻的薄膜厚々度分布
?使用效率高
作為品質■目標，對每種□材料研討制造方法，進而開發制造的高品質濺射靶。

ULVAC制造□　和銷售IGZO TAOS（使用In，Ga，Zn，O透明Amorphous氧化物半導體）中使用的IGZO靶。 為了抑制particle，靶材的高密度→化?減少靶材的分割數量，正在向全球大多數▲顯示器制造商提供高質量的IGZO靶材，IGZO用濺你射設備和IGZO工藝。 此外，ULVAC成⌒　功開發出長度約為3米的大型IGZO靶材。 期待這個大大型的IGZO靶∮材將徹底解決TFT特性的劣化。